据业界2日透露，星西三星电子计划对中国西安nand闪存工厂进行改造，安厂将目前正在生产的计划将N级128段（v6） nand闪存生产线扩大到236段（v8）。三星决定从明年初开始更换设备，工更换并向业界通报了到2025年分阶段完成的艺升目标。

三星决定在因经济不景气而堆积库存的层明128段nand中减少旧型产品，供应未来需求较多的年初236段nand等，正在加快向先进工程的设备转型。

随着西安工厂的星西升级，平泽第1工厂（p1）的安厂nand工艺也将从128段转换为236段，已经开始转换。计划将N级

西安工程升级备受关注的工更换原因是此前禁止向中国出口可以生产200段以上nand的设备的《美国半导体设备法》。

西安工厂是艺升占三星nand生产量约40%的核心工厂。128 nand由于市场状况的层明恶化，生产越多，年初库存就越堆积。三星急需改进工程。

今年10月，美国将三星和sk海力士指定为“经过验证的最终用户（veu）”，三星无需另外申请也可以进口设备。之后，三星决定改编工厂的前台生产线。

nand闪存端口的数量是指堆叠的内存单元的数量，这个数量越多，容量就越大。三星电子目前拥有的236段nand闪存计划明年初批量生产约300段的新一代nand闪存（v9）。